日本最黄-日本最黄视频-日本最黄网站-日本最猛黑人xxxx猛交-激情五月宗合网-激情五月综合

您好!歡迎訪問北京華測試驗儀器有限公司網站!
全國服務咨詢熱線:

13911821020

當前位置:首頁 > 技術文章 > 存儲器的工藝及技術發展

存儲器的工藝及技術發展

更新時間:2021-03-16      點擊次數:1246

存儲器工藝的發展

 第yi個半導體存儲器是一種雙極型的靜態存儲器,并且只有16位,集成度非常低,所以不能體現出它的優點。之后,MOSFET技術有了突破性的進展。由于MOS集成電路的集成密度大大優于雙極型電路,并且有著自隔離等優點,因此,采用MOS工藝制作的半導體存儲器便成為了當時主要的追求目標。之后,CMOS技術進入了成熟大發展階段,它的維持功耗低,電路結構簡單和可靠性好等,因此就很快的淘汰了NMOS存儲器。

           在這期間主要的工藝進步就在于細微加工技術的進步。起初是23微米,后期進步到0.60.8亞微米工藝,再后來達到了0.20.3亞微米工藝,而今已經達到了68nm的工藝。

 工藝的進步使半導體存儲器的集成度和不斷的提高,過去不少專家預言集成電路達到1微米是極限,后來又預測0.5微米是極限。現在看來,這些預言在事實面前都宣告了失敗。

 

存儲器技術的發展

 隨機存儲器的電路技術方面也有著不少的突破和革新。由一開始的單元電路,變為六管單元,然后變成四管、三管單元,其后成功開發了單管單元。因為半導體隨機存儲器的主要追求目標是集成容量,也就是每片集成的單元數量。因此,單元電路用的管子越少越好。也就是說,單管單元是較好的單元電路。由于采用單管單元會帶來讀出信號小的問題,我們可以用靈敏的獨出放大器來解決這一問題。

           近幾十年來金屬氧化物半導體(MOS)隨機存儲器的發展速度很快,這種存儲器的集成度以平均每年1.5倍的速度在增長。1971年美國Intel公司研制出的半導體存儲器件成功推向市場,得到了用戶的初步應用。它的存儲芯片采用三管存儲單元,利用“1”“0”分別代表電平的高和低。由于電容有漏電問題,因此,若想要保存信息則需要定期刷新,故稱之為動態RAMDRAM)。三管存儲單元的出現,不僅提高了存儲單元陣列的集成度,同時將存儲器的譯碼器、數據輸入輸出緩沖電路和芯片控制電路也做在芯片上。

           在半導體存儲器市場中,靜態RAMSRAM)也不斷地在發展,SRAM不需要像DRAM    一樣要定期刷新,它使用方便,而且速度也比較快,所以它適合稍小一些容器存儲系統使用SRAMDRAM長期處于共存狀態,MOSRAM的存儲單元一般有4MOS管和2個負載電阻組成,因而芯片單元面積較大,一般來說,在同一時期內SRAM的集成度約為DRAM1/4

北京華測試驗儀器有限公司
地址:北京海淀區
郵箱:LH13391680256@163.com
傳真:
關注我們
歡迎您關注我們的微信公眾號了解更多信息:
歡迎您關注我們的微信公眾號
了解更多信息
主站蜘蛛池模板: 欧美激情一级二级三级在线视频| 久久精品国产欧美日韩| 激情交叉点2| 欧美最猛黑人xxxx黑人猛交98 | 黑料不打烊tttzzz网址入口| 成人3d黄动漫无尽视频网站| 草b视频| 被男按摩师添的好爽在线直播| 3d动漫精品一区二区三区| 女人张开腿让男人桶个爽| 国内精品视频一区二区三区八戒| 中文字幕第一页亚洲| 打开腿给医生检查黄文| av成人在线电影| 一二三四社区在线中文视频| 国产99视频精品免视看7| 波多野结衣一区二区三区88| 欧美一级特黄aa大片在线观看免费| 国产一区电影| 麻豆女神吴梦梦| 在线免费观看污污视频| 夫妇交换性2国语在线观看| 三年片在线观看免费观看大全中国| 2018国产大陆天天弄| 青娱乐国产盛宴| 被公侵幕岬奈奈美中文字幕| 中韩日产字幕2021| 久久精品国产99国产精品| 黑人异族日本人hd| 亚洲福利二区| 国产精品亚洲精品日韩已满| 五月婷婷深深爱| 久久亚洲免费视频| 十七岁在线观看资源网| 台湾三级香港三级经典三在线| 欧美日韩在线播放| 欧美色欧美亚洲另类二区| 日本理论片和搜子同居的日子演员| 成人免费观看高清在线毛片 | 久久99精品久久久久久水蜜桃| 里番无修旧番6080在线观看|